2016-04-29

同時包含高速裝置的高電壓電路，例如近期推出的氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)功率金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)，對電源轉換設計師提出了挑戰。當與低電感閘極驅動器正確搭配使用時，較低電壓GaN單結型場效應電晶體(FET)(小於100伏特)可在1奈秒(ns)的時間裡完成開關切換。而且，採用特殊低電感配置和高電流驅動器的高電壓600伏特(V) GaN FET、乃至更高電壓的1,200伏特SiC FET也能夠在上升和下降時間低於20奈秒內，以1MHz的速率執行開關操作。

2015-10-05

功率氮化鎵(GaN)裝置是功率設計師可用的新工具，可進一步分析GaN高切換頻率如何提升效能及功率密度，射頻GaN技術已通過功率放大器量產驗證，因為多項長處均優於矽(Si)，已應用於蜂巢式基地台及多種軍事/太空系統。