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2023-05-11
研究報告顯示，氮化鎵(GaN)高電子遷移率電晶體(HEMT)和磷化銦(InP)異質接面雙極電晶體(HBT)成功在矽技術平台上實現微縮化，並與互補式金屬氧化物半導體(CMOS)元件共整合，滿足新一代高流量無線網路的技術需求。
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