隨著通訊技術的進步，手機功能及附加服務多元化(音樂傳送、線上交友、連線遊戲、收發語音郵件等)的結果，導致對記憶體性能的要求日益嚴苛，其中更以照相手機在未來的需求前景看好，同時亦造成手機用記憶體相對地水漲船高。
隨著通訊技術的進步，手機功能及附加服務多元化(音樂傳送、線上交友、連線遊戲、收發語音郵件等)的結果，導致對記憶體性能的要求日益嚴苛，其中更以照相手機在未來的需求前景看好，同時亦造成手機用記憶體相對地水漲船高。而在所有記憶體種類當中，快閃記憶體(Flash memory)以其較優越的工作特性、體積與耗電量，更有可能在這一波手機的應用需求市場中創造另一波高峰。
以未來手機的應用發展來看，手機對記憶體的要求將更為提高，目前針對手機對記憶體的要求主要可分為2大項目：
由原來的單色到彩色液晶螢幕，由只能互相通話到具有MMS功能，甚至像PDA phone或SmartPhone產品的推出，手機所具備的功能日漸發達，例如可聽MP3規格的音樂、可程式化且多和絃的來電鈴聲、遊戲種類增多、語音辯識等。於是控制其運作的程式碼便越趨複雜，因此對記憶體容量的需求也隨之增加。另外，照相手機的興起是記憶體容量需求大幅上升的主要原因。Samsung 預期在今年年底新推出的手機中將有80%具有照相的功能。圖1為MIC針對照相手機市場趨勢所做的預測，2002年到2003年總銷售量的年平均成長率為 169%，2003年後每年亦有將近16%～44%平均成長率。
手機系統業者所提出的加值服務，包括音樂傳送、線上交友、連線遊戲、收發語音郵件等，都增加了數位訊號處理器(Digital Signal Processor, DSP)及微控制器(Micro Control Unit, MCU)的工作負擔，也促使這2種元件的運算速度必須越來越快，因為許多加值服務都要求即時性及連續性。因此必須加快記憶體的速度使之能與上述2種元件匹配，才不致造成運作時的延遲(latency)。
不同種類的記憶體其特性亦有所差別，以下針對手機常用之記憶體進行簡介：
EPROM(可抹寫程式化唯讀記憶體)為早期用來儲存手機運作所需之微程式控制韌體碼的記憶體，可以寫入多次資料，特點是在晶片包裝上有一扇透明的窗戶，需要清除資料時便以紫外光照射由此窗戶所露出之記憶體晶片即可。平時這個窗戶是用不透光的標籤將其遮蓋。需要寫入資料的時候，必須先把已經存在的東西全部清除掉才行。
EEPROM(電子抹寫、可程式化唯讀記憶體)也是一種可以寫入多次資料的唯讀記憶體，和EPROM最大的不同是，它清除資料時不必用紫外光照射裏面的晶片，只要通電就可以清除原本記憶體所含的資料。因為如此，所以使用起來要比EPROM方便得多。
SRAM是所有半導體記憶體中存取速度較快的一種，其記憶細胞元(memory cell)由6個正反器(Flip flop，儲存資料的最小單元，1個正反器可以儲存1個位元的資料組成)組成。SRAM在手機中的角色是作為基頻DSP和MCU的資料暫存器。但由於記憶細胞元較大，元件集積度低，記憶容量發展受限。DRAM的記憶細胞元則由一個MOSFET和一個電容組成，故其集積度較SRAM高，容量亦較大。但電容具有放電特性，存在電容的電荷會逐漸消失，故SRAM及DRAM需要額外的電能來做週期性刷新(refresh)動作，即電能消失後，所儲存的資料亦隨之清除。表1為SRAM及DRAM的特性比較。
快閃記憶體(Flash memory, Flash)主要分為NOR型及NAND型兩種。NOR型為Intel所發展出之架構，而NAND型的主要技術領先者為Toshiba。兩者因為記憶細胞元的設計不同，使得NOR型的讀取速度較快，適合做為程式的儲存；而NAND型的記憶細胞元較小，可發展成容量較大的記憶體，較適合用於大量資料的儲存。表2為2種Flash的特性比較。
pseudo SRAM(虛擬靜態隨機存取記憶體)其實是一種以DRAM為核心，外接電路則使用SRAM介面的記憶體。因為其核心只有DRAM所包含的一個 MOSFET，故又稱為1T SRAM。pseudo SRAM可以使用DRAM製程進行生產，於是在製程與設計轉換門檻不高，而且又可以大幅增加存取速度及縮小尺寸的情況下(存取速度約為55～100ns、工作電壓大約1.65～3.60Volts)，DRAM的製造廠商開始將部分產能規劃進行pseudo SRAM的生產，例如華邦及茂德；而聯電則在今年初與韓國設計公司Silicon7成為夥伴策略聯盟，將在資金、製造及技術上全力支援Silicon7成為手機市場的pseudo SRAM及低電量DRAM產品之主要提供廠商。
由於Flash比ROM的耗能低、存取速度快、體積小種種優點，使得Flash將取代ROM成為手機的重要元件。圖2為Semico Research在2002年就手機市場對Flash需求量所做的統計及預測，需求成長顯而易見。在操作電壓方面，則由標準的3.3V或2.7V朝向 1.2V邁進，0.9V的產品亦在開發中。
NOR型Flash是用來儲存手機核心程式碼等相關資料；NAND型Flash則用來儲存應用程式或使用者之影音資訊。NOR型容量大小將由目前主流的32Mb及64Mb朝向128Mb發展；而NAND型則由128Mb或256Mb朝向512Mb邁進。
由於SmartPhone及3G服務的興起，手機的應用程式及處理的影音資料容量越來越大，除了內建的NAND型Flash外，附有Flash小型記憶卡插槽的手機亦為發展趨勢之一。除了可儲存更多的資料外，亦可單獨拆下如同隨身碟般與電腦連結，更增加了資料運用的機動性。
堆疊式多晶片封裝技術(Stacked Multi Chip Package, ST–MCP)將多種不同的記憶體封裝在同一個晶片中，以達到縮小體積的目的。當然，隨著各不同的記憶體製造技術的進步，MCP可說是目前最有可能達成手機記憶體輕薄短小且省電的整合技術。圖5為Toshiba公佈針對手機用記憶體利用ST–MCP技術之未來發展趨勢圖。圖6為ST–MCP示意圖。
目前僅高階手機，如SmartPhone中搭配有ST–MCP記憶體晶片，整合之記憶體種類以NOR型Flash及SRAM為主，容量為4Mb或8Mb之 SRAM搭配32Mb或64Mb之NOR型Flash為大宗。圖7為Toshiba針對ST–MCP記憶體晶片之發展時程。由圖中可看出2003年將針對以0.16μm製程的32Mb/64Mb/ 128Mb NOR型及以0.13μm製程的64Mb/128Mb/ 256Mb的NAND型Flash為主要整合目標。針對整合的記憶體晶片數也將朝3～5片邁進。
由於Flash市場與手機的發展相關性極高，NOR型或NAND型在行動通訊領域的應用未來將有明顯區隔；同時，Flash在耗能及體積上必須朝更小化發展。
針對ST–MCP技術，Flash必須提高與SRAM之相容性，所以存取速度也必須再提升。目前以整合SRAM及NOR型Flash兩種記憶晶片為主，將朝3～5片晶片發展。大容量之ST–MCP記憶體初期將以高階手機為主要市場。另外，目前提高Flash容量之技術尚有Multi level per cell及Multi bit per cell兩種，但因製程技術較困難，成本較高，應用時程將向後修正。