生成式AI為IT設備的電源子系統設計帶來巨大考驗,在電源供應器(PSU)與主機板上的負載點(POL)之間的每一個電源轉換環節,甚至是設計過程中的測試驗證,都需要與時俱進,導入新的技術與設計觀念。舉例來說,在電源供應器方面,為提高直交流轉換效率,越來越多業者開始採用碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)這類寬能隙元件,但這些新世代功率元件不僅需要新的測試方式,同時也需要搭配新的轉換電路拓撲,甚至是磁性元件,才能發揮其全部潛力。
同樣的情況也出現在直流轉換與穩壓環節。採用最先進製程的新一代處理器,不管是CPU、GPU或APU,工作電壓往往只有1V上下,卻需要汲取動輒數百A的峰值電流。這意味著直流轉換設計不只要有好的效率、精準穩定的輸出電壓,而且還必須想盡辦法降低傳輸路徑上的阻抗。因此,直流轉換跟穩壓方案不僅持續推陳出新,與主晶片共同封裝(Co-package)的作法,更被視為不可避免的發展趨勢。
為協助電源設計工程師掌握最新電源技術趨勢,克服生成式AI所帶來的電源設計挑戰,新電子雜誌將於2025年1月14日舉辦「高效能電源設計論壇」,邀請相關技術專家分享最新的電源技術趨勢與解決方案,在農曆年前幫您的電源知識除舊布新一番。本活動為實體活動,現場座位有限,敬請即早報名以保留座位。
時間 |
議題 |
13:00~13:30 |
報到與開場 |
13:30~14:10 |
氮化鎵在伺服器PSU的設計導入要點
講師: 敬請期待 |
14:10~14:50 |
SiC和GaN功率元件在電源供應器上的應用
講師: 東芝電子工程部經理/上新原 崇 Kamishinbara Takashi
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14:50~15:10 |
中場休息與交流 |
15:10~15:50 |
寬能隙元件測試規範詳解與測試方法
講師:克達科技應用工程經理/馮育隆
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15:50~16:20 |
降低傳導阻抗成POL設計重點 共同封裝後勢可期
講師: 敬請期待
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16:20~ |
散會 |
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