在能源效率與外觀尺寸要求日益嚴格的情況下,改以碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)元件來實現大功率電源設備,已經是必然的發展趨勢。但由於這些寬能隙(WBG)元件的特性與業界已經十分熟悉的MOSFET、IGBT有相當明顯的差異,尤其是氮化鎵。
因此,對電源開發者而言,如何快速掌握這些寬能隙元件的特性,進而完成設計導入工作,是當前所面臨的最主要挑戰。此外,歷經過去幾年疫情的洗禮,業界對於供應鏈管理的重視度大增。若要在自家產品中採用寬能隙元件,相關供應鏈配套是否成熟,也會是應用開發者關注的焦點。
為協助電源開發者了解寬能隙功率元件最新的技術發展與相關供應鏈的狀況,新電子雜誌將在5月17日舉辦《寬能隙功率元件應用開發者論壇》,邀請台達電、安矽思(Ansys)、羅姆(Rohm)等產業鏈上中下游的業界專家,針對電源市場展望、寬能隙元件技術發展趨勢與設計驗證/模擬工具的進展等議題現身說法。對次世代電源技術發展有興趣,或是想打入相關供應鏈的業界人士,切莫錯過這個與專家及潛在合作夥伴交流的寶貴機會。
時間
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議題
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13:00~13:35
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報到與開場
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13:35~14:15
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羅姆新世代寬能隙功率元件
羅姆半導體台灣技術中心資深工程師/邵詩桓
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14:15~14:55
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SiC/GaN半導體化合物對資料中心電源的設計挑戰
碇基半導體(Ancora Semiconductor)電子設計經理/莊博欽
台達電腦及網通電源事業部伺服器電源設計工程部副理/賴建安
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14:55~15:15
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中場休息與交流
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15:15~15:50
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模擬在GaN/SiC功率半導體應用設計中的運用及優勢:
從性能到可靠度的全方位探討
安矽思科技資深工程師/郭宗男
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15:50~16:20
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供電動車及太陽電池系統使用之新型高起始電壓氮化鎵功率元件原理及系統應用
國立陽明交通大學國際半導體產業學院院長/張翼
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16:20~
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散會
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