【實體活動】寬能隙功率元件應用開發者論壇

活動介紹

在能源效率與外觀尺寸要求日益嚴格的情況下,改以碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)元件來實現大功率電源設備,已經是必然的發展趨勢。但由於這些寬能隙(WBG)元件的特性與業界已經十分熟悉的MOSFET、IGBT有相當明顯的差異,尤其是氮化鎵。

 因此,對電源開發者而言,如何快速掌握這些寬能隙元件的特性,進而完成設計導入工作,是當前所面臨的最主要挑戰。此外,歷經過去幾年疫情的洗禮,業界對於供應鏈管理的重視度大增。若要在自家產品中採用寬能隙元件,相關供應鏈配套是否成熟,也會是應用開發者關注的焦點。

 為協助電源開發者了解寬能隙功率元件最新的技術發展與相關供應鏈的狀況,新電子雜誌將在5月17日舉辦《寬能隙功率元件應用開發者論壇》,邀請台達電、安矽思(Ansys)、羅姆(Rohm)等產業鏈上中下游的業界專家,針對電源市場展望、寬能隙元件技術發展趨勢與設計驗證/模擬工具的進展等議題現身說法。對次世代電源技術發展有興趣,或是想打入相關供應鏈的業界人士,切莫錯過這個與專家及潛在合作夥伴交流的寶貴機會。

參加辦法

活動時間: 2023年5月17日(三) 13:00~16:20
活動地點: 集思北科大會議中心--台北市大安區忠孝東路三段197號旁億光大樓2樓(忠孝東路與建國南路交叉口)
洽詢專員: 敖小姐
洽詢專線: (02) 2500-7022轉2301
聯絡信箱: mem_service@hmg.com.tw
報名方式:

線上報名

報名費用:

全程免費(名額有限,額滿為止)。

注意事項:
  1. 本活動採預先線上報名,報名完成後將由主辦單位進行出席資格審核,與主題及屬性比較符合者為優先考量。通過審核者,系統將於活動兩周前以電子郵件方式陸續寄發報到通知函和簡訊通知,以示您的出席資格,報到時,請熟記報到編號,並請攜帶名片1張。未通過審核者,亦會收到一封婉拒通知信。
  2. 請盡早完成報到手續,主辦單位依現場報到完成順序安排座位,額滿為止。場地額滿後將視現場狀況開放入場,主辦單位保有開放進場與否及現場報名之權利。
  3. 若因不可預測之突發因素,主辦單位得保留議程、講師及內容流程之變更權利。
  4. 為提供訂閱、行銷、客戶管理或其他合於營業登記項目或章程所定業務需要之目的,家庭傳媒集團(即英屬蓋曼群島商家庭傳媒股份有限公司、城邦文化事業股份有限公司、書虫股份有限公司),於本集團之營運期間及地區內,將以mail、傳真、電話、簡訊、郵寄或其他公告方式利用您提供之資料(資料類別:C001、C002、C003、C011等)。利用對象除本集團外,亦可能包含相關服務的協力機構或合作廠商。如您有依個資法第三條或其他需服務之處,請致電本公司客服中心,電話:0800-020299。

 

活動議程

時間

議題

13:00~13:35

報到與開場

13:35~14:15

羅姆新世代寬能隙功率元件

羅姆半導體台灣技術中心資深工程師/邵詩桓

14:15~14:55

SiC/GaN半導體化合物對資料中心電源的設計挑戰

碇基半導體(Ancora Semiconductor)電子設計經理/莊博欽

台達電腦及網通電源事業部伺服器電源設計工程部副理/賴建安

14:55~15:15

中場休息與交流

15:15~15:50

模擬在GaN/SiC功率半導體應用設計中的運用及優勢:
從性能到可靠度的全方位探討

安矽思科技資深工程師/郭宗男 

15:50~16:20

供電動車及太陽電池系統使用之新型高起始電壓氮化鎵功率元件原理及系統應用

國立陽明交通大學國際半導體產業學院院長/張翼

16:20~

散會

*主辦單位保留變更議程權利,議程變更恕不另行通知。

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