富士通(Fujitsu)宣布推出以0.18微米(µm)技術為基礎之全新SPI FRAM產品家族，包括MB85RS256A、 MB85RS128A和MB85RS64A此三款型號，並從即日起開始提供客戶樣品。
富士通(Fujitsu)宣布推出以0.18微米(µm)技術為基礎之全新SPI FRAM產品家族，包括MB85RS256A、 MB85RS128A和MB85RS64A此三款型號，並從即日起開始提供客戶樣品。
FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)技術將SRAM的快速讀寫與非揮發性快閃記憶體等優勢都整合至一顆晶片。此款全新SPI FRAM系列MB85RSxxx包括三款型號：MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A，分別代表256Kbit/s、128Kbit/s和64Kbit/s三個密度等級。
此三款晶片的工作電壓範圍介於3.0～3.6V，可承受讀寫週期達一百億次，並能將資料保存在55°C的環境下長達10年，且其工作頻率已大幅提高至最大25MHz。因為FRAM產品在寫入的處理過程中不需要電壓增壓器，因此很適合低功率應用。另外，該產品亦提供具有標準記憶體針腳配置的8針腳塑膠SOP封裝，並可完全與E2PROM晶片相容。
富士通網址：cn.fujitsu.com