宜特科技(iST)材料分析檢測技術再突破，iST檢測技術今年已突破10奈米製程，協助多間客戶在先進製程產品完成穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy, TEM)分析與驗證，其技術獲美國電機及電子工程師學會(Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE)半導體元件故障分析領域權威組織積體電路失效分析論壇(International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA)肯定。
宜特科技(iST)材料分析檢測技術再突破，iST檢測技術今年已突破10奈米製程，協助多間客戶在先進製程產品完成穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy, TEM)分析與驗證，其技術獲美國電機及電子工程師學會(Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE)半導體元件故障分析領域權威組織積體電路失效分析論壇(International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA)肯定。
近年來，企業為打造效能更高、功耗更低及體積更小的半導體元件，滿足現今智能產品需求，各大廠在先進製程開發腳步越來越快，已從去年20奈米製程，邁入今年14奈米製程。台積電、英特爾(Intel)及三星(Samsung)等大廠，預計明年進入10奈米以下量產階段，因此帶動整個供應鏈TEM分析需求。
宜特繼去年布建業界能量光譜(Energy Dispersive Spectrometers, EDS)元素分析能力最強的TEM設備，聘僱多位博士級TEM專家，經過一整年衝刺，不僅產能大躍進，其檢測分析能量更從去年14奈米，向下突破至10奈米製程，深獲LED磊晶廠、半導體設備廠與晶圓代工廠肯定。
宜特科技材料分析工程部經理陳聲宇博士表示，宜特材料分析技術能量有目共睹，更獲得IPFA肯定，iST發表「利用高準確性的TEM/EDS技術分析先進NAND Flash產品」之論文，此成果可應用於先進半導體製程中介電層材料(Dielectric Layer)分析上。
陳聲宇進一步指出，先進製程的介電層材料，易在分析過程中遭受損傷，分析難度高，宜特運用業界最高規格TEM/EDS機台，充分優化實驗參數，成功在介電層材料遭受損傷前，迅速完成訊號收集，得到準確元素分布資訊，提供研發工程師改善製程時，最有力的依據。
宜特網址：www.istgroup.com