ADI日前推出一款為9KHz到13GHz特定頻段應用的吸收式單刀雙擲(SPDT)開關，具備在8GHz操作時48dB高隔離度和0.6dB低插入損耗性能表現。HMC1118LP3DE是該公司新型射頻和微波控制產品陣容中，首款展現矽製程技術先天優勢的產品，提供超越傳統砷化鎵射頻開關的關鍵優勢。
ADI日前推出一款為9KHz到13GHz特定頻段應用的吸收式單刀雙擲(SPDT)開關，具備在8GHz操作時48dB高隔離度和0.6dB低插入損耗性能表現。HMC1118LP3DE是該公司新型射頻和微波控制產品陣容中，首款展現矽製程技術先天優勢的產品，提供超越傳統砷化鎵射頻開關的關鍵優勢。
據了解，這些優勢包括比砷化鎵快一百倍的穩定時間，強大的靜電放電(ESD)保護，並具有延長開關的低頻端較砷化鎵低一千倍的能力，同時維持高線性度。該產品還提供4瓦(W)通過業界領先的射頻(RF)功率處理功能與0.5W的熱切換工作模式。熱切換功率處理比使用類似RF頻寬的同級元件性能好兩倍以上，這讓工程師得以在應用方案和系統中增加容許的RF功率，而無損壞零件的風險。
HMC1118LP3DE在高達13GHz寬工作頻率範圍內達到高隔離度和極度平坦傳輸特性最佳化，同時維持降至9kHz的高訊號保真度。這些特性組合使這款開關適用於要求嚴苛的量測、自動測試設備、國防電子和無線通訊應用方案，以作為較傳統砷化鎵開關一種更低成本的替代方案。
ADI網址：www.analog.com