諾發系統(Novellus)日前宣布與IBM成立共同研究專案，將利用諾發之電鍍銅SABRE與電漿輔助化學氣相沉積VECTOR系統，設計出可製造3-D半導體銅矽穿孔(TSV)之製程，該新製程將可應用於小體積與低耗電的3-D整合產品。
諾發系統(Novellus)日前宣布與IBM成立共同研究專案，將利用諾發之電鍍銅SABRE與電漿輔助化學氣相沉積VECTOR系統，設計出可製造3-D半導體銅矽穿孔(TSV)之製程，該新製程將可應用於小體積與低耗電的3-D整合產品。
使用TSV技術將半導體工業推往3-D整合是一股強烈的趨勢，將多種元件堆疊成類似三明治結構與用銅孔連接所有導電層，此技術增加了電路密度並使最終元件變小，透過每個元件間較短的連接長度，進而增加元件速度與較低的電力消耗，堆疊的結構也允許多種特定功能元件的組合，包含利用非同質性的整合，以符合現今不斷縮小之電子產品的需求，如手機、PDA及筆記型電腦，然而，對於整合TSV到半導體製程，以至於新結構需同時俱有高可靠度與低製造成本上，仍面臨數個重要挑戰，其一是於極深的高長寬比結構之無洞填充時，降低過多的銅沉積或承載，承載厚度會隨著TSV的形態而改變；另一個挑戰則需要低溫沉積介電薄膜的能力，如此一來，在TSV的製造流程中，晶片上熱預算才不至於超過標準。
該公司已發展出一套特殊高效的SABRE Electrofill@ TSV 製程，該製程使用享有專利權的設備，以及電鍍液達到最低過量銅之無洞填充，過多銅可降低百分之七十五，容許使用傳統的化學機械硏磨(CMP)代替客製研膜泥漿，此外，SABRE的最佳化TSV電鍍液提供較短的電鍍，因而能有較高的生產率。為了解決低溫介電膜的需求，諾發系統的VECTOR平台搭配著獨創的多站連續沉積結構(MSSD)，使得具有穩定且高良率的TSV製程，在崩潰電壓、漏電行為及晶片間的再現能力，與二百度以下介電膜沉積的要求上成為可能，SABRE與VECTOR的應用簡化了TSV的製造流程，並開創了低成本、高效能3-D積體電路的廣範應用，諾發系統與IBM將一起合作評估與研發製程應用於IBM的3-D整合專案。
諾發系統網址：www.novellus.com