群聯快閃記憶體控制晶片符合UFS 2.1規範

群聯電子董事長潘健成表示，PS8313是群聯與國際3D NAND大廠共同合作的最新成果，將助力智慧型手機次世代的旗艦機種進入超高速儲存時代。

UFS規格目前正逐步取代eMMC規格，成為智慧型手機嵌入式記憶體、SD記憶卡的高速介面標準。最新、技術更臻成熟的UFS 2.1規範，其使用更快的序列介面以符合更高的資料傳輸速率，並支援全雙工(Full Duplex)操作的信號介面等高規格技術之外，其頻寬已遠遠超過傳統eMMC 5.1。

因此UFS 2.1已成為高通(Qualcomm)、海思(HiSilicon)等旗艦智慧型手機晶片設計廠目前導入支援的新規格，同時也是各國際手機品牌廠作為次世代旗艦機種儲存設計的首選技術。

該快閃記憶體控制晶片採用28nm製程，且搭配最新3D TLC製程的NAND Flash，實測的序列讀寫速度已達到與SSD相當的水準，其連續讀寫速度920/550 MBit/s，在隨機讀寫的速度上更是達到67K/62K IOPS的頂級表現，該實測成果亦反映出高於目前主流eMMC近5倍的效能。

透過搭載該公司M-PHY、UniPro、UFS等實體層矽智財(IP)，以及專為最新3D TLC設計的第四代低功耗LDPC ECC糾錯引擎，能支援各國際大廠最新的3D TLC記憶體，同時無須額外被動元件的設計，便於客戶降低設計成本，以及兼具提升快閃記憶體的耐用度和可靠性。