瑞薩電子(Renesas Electronics)推出第十二代功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品RJK0210DPA、RJK0211DPA及RJK0212DPA，為適用於一般負載點(POL)、基地台、電腦伺服器及筆電直流/直流(DC/DC)轉換器中之功率半導體裝置。
瑞薩電子(Renesas Electronics)推出第十二代功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品RJK0210DPA、RJK0211DPA及RJK0212DPA，為適用於一般負載點(POL)、基地台、電腦伺服器及筆電直流/直流(DC/DC)轉換器中之功率半導體裝置。
上述新產品用以控制中央處理器及記憶體中的電壓轉換電路。例如，前述新款功率MOSFET可用於降壓電路，將電池的12伏特(V)電壓轉換為CPU所使用的1.05V。由於製程加倍精細化，相較於瑞薩電子現有產品，新款MOSFET的品質因數(FOM)降低約40%，因此能在電壓轉換過程中減少功率損耗，達成高效率的DC/DC轉換器效能。
隨著伺服器、筆電及顯示卡等應用產品的效能逐漸提升，消耗功率也隨之增加。促使各種元件以較低的電壓運作，例如CPU、繪圖處理單元(GPU)、記憶體、各種裝置及特定應用積體電路(ASIC)等，電流量隨之提高的同時也產生了新的需求，亦即DC/DC轉換器必須處理低電壓及大電流。
而另一項需求，則是在電壓轉換過程中減少功率損耗並追求更高的效率，以藉此節約能源，降低環境衝擊。瑞薩電子透過目前業界中最高效能等級的新產品，擴充其低FOM功率的MOSFET產品種類，從容因應上述需求。
上述新產品中的耐壓(VDSS)為25V，其中的RJK0210DPA MOSFET可達到最大電流(ID)40安培(A)；RJK0211DPA為30A；RJK0212DPA則為25A。其FOM分別為6.84mΩ∙nC、7.83mΩ∙nC及7.2mΩ∙nC，相較於瑞薩電子現有的MOSFET約降低40%。
另外，上述新產品的閘-汲極電荷電容(Qgd)分別為1.2nC、0.9nC及0.6nC，同樣約較瑞薩電子上一代功率MOSFET低了40%。較低的數值意味著切換損失較少，也因此對於更高效率的DC/DC轉換器效能，以及更高的能源效率助益良多。
DC/DC轉換器是藉由兩個功率MOSFET運作，其中之一負責控制，另一個則負責同步整流，交互切換開與關以轉換電壓。將新款RJK0210DPA MOSFET用於控制，而將瑞薩電子第十一代RJK0208DPA裝置用於同步整流，將12V電壓轉換至1.5V，在輸出電流為18A時，最大功率轉換效率為90.6%，在輸出電流為40A時，最大功率轉換效率為86.6%。
瑞薩網址：www.renesas.com