美國國家半導體(NS)宣布其高傳真度LME聲頻放大器系列再添加兩個新型號。LME49811與LME49830兩款新產品屬於200伏特的單聲道聲頻功率放大器輸入級，其特點是失真率低於同類競爭產品，還可縮短系統設計週期，讓新產品更快推出市場。此外，這兩款放大器輸入級也適用於多種不同的工業系統，例如失真必須極低的高電壓電子產品。
美國國家半導體(NS)宣布其高傳真度LME聲頻放大器系列再添加兩個新型號。LME49811與LME49830兩款新產品屬於200伏特的單聲道聲頻功率放大器輸入級，其特點是失真率低於同類競爭產品，還可縮短系統設計週期，讓新產品更快推出市場。此外，這兩款放大器輸入級也適用於多種不同的工業系統，例如失真必須極低的高電壓電子產品。
LME49811可驅動放大器輸出級的達林頓(Darlington)或雙極功率電晶體，將500瓦以上的單端輸出功率輸入8歐姆負載。這款晶片的輸出驅動電流高達9毫安培，而輸出電壓雜訊則只有100微伏特。並可在±20～±100伏特的廣闊電壓範圍內作業；LME49830晶片可驅動多種不同的MOSFET，輸出電流高達60毫安培，並適用於±20～±100伏特的廣闊電壓範圍，讓系統設計工程師有較大的空間挑選最適用的輸出級配置，有助於提高系統設計的靈活性。此兩款晶片的轉換率皆高達40伏特/微秒，且電源供應抑制率(PSRR)皆高達115dB。
此兩款晶片的另一特點是輸出功率可靈活調校，系統設計工程師可根據要求的供電電壓及輸出晶片數目設定輸出功率，且功能都具備高階、高效能功率放大器輸入級所需的必要電路。只要採用這兩顆晶片，高功率聲頻放大器便可減省超過二十五顆元件，不但有助於縮小電路板，還可節省設計時間。此外，採用這兩款晶片的系統設計可支援更多通道，功率密度更高。系統設計工程師不但可利用這兩款晶片『調校』放大器的整體音色，還可騰出更多時間設計更有獨特個性的輸出級及電源供應系統。
LME49811及LME49830晶片都設有過熱停機保護功能，並都採用美國國家半導體獨自開發並已註冊專利的VIP3製程技術製造。由於這種高電壓/高效能的互補雙極製程技術採用垂直整合的NPN及PNP電晶體，因此可提高輸出電壓的峰值擺幅，適用於高階的高電壓音響系統。
美國國家半導體網址：www.national.com/CHT