Diodes推出採用微型DFN1212-3封裝的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。該元件的結點至環境熱阻(Rthj-a)為130ºC/W，能於持續狀態下支援高達1瓦(W)的功率耗散，比起占位面積相同、Rthj-a性能為280ºC/W的SOT723封裝，能提供更低溫度運行。
Diodes推出採用微型DFN1212-3封裝的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。該元件的結點至環境熱阻(Rthj-a)為130ºC/W，能於持續狀態下支援高達1瓦(W)的功率耗散，比起占位面積相同、Rthj-a性能為280ºC/W的SOT723封裝，能提供更低溫度運行。
這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與採用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板(PCB)面積為1.44平方毫米(mm2)，並具備0.5毫米的離板高度，但後者的熱力效能則較低。這對採用DFN1212-3封裝的MOSFET可輕易替換高可靠性的訊號及負載開關應用，適用於包括數位相機、平板電腦和智慧型手機在內的高可攜式消費性電子產品。
Diodes最先推出的這對MOSFET，額定電壓為20伏特(V)，包含DMN2300UFD N通道及DMP21D0UFD P通道元件。該N通道MOSFET的典型導通電阻在VGS等於1.8伏特的情況下為400毫歐姆(Mω)，比最受歡迎的同類型SOT723封裝MOSFET大約低50%，可以大幅減少傳導損耗和功耗。
Diodes網址：www.diodes.com