開關電源的設計人員需要能夠承受逆向復原電流尖峰、同時可減低開關損耗的高電壓金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)元件，因此，快捷(Fairchild)以精深的MOSFET技術知識，開發出最佳化功率MOSFET產品UniFET II MOSFET以應需求。新產品具有更佳的寄生二極體和更低的開關損耗，並可在二極體復原dv/dt模式下承受雙倍電流應力。
開關電源的設計人員需要能夠承受逆向復原電流尖峰、同時可減低開關損耗的高電壓金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)元件，因此，快捷(Fairchild)以精深的MOSFET技術知識，開發出最佳化功率MOSFET產品UniFET II MOSFET以應需求。新產品具有更佳的寄生二極體和更低的開關損耗，並可在二極體復原dv/dt模式下承受雙倍電流應力。
快捷半導體的UniFET II MOSFET之逆向復原性能較其它解決方案提升50%。如果逆向復原速度較慢，則無法處理高逆向復原電流尖峰，導致更高的開關損耗，以及功率MOSFET過熱。而快捷半導體的解決方案則能夠承受較現有解決方案高兩倍以上的電流應力。
UniFET II MOSFET元件以快捷半導體的進階平面技術為基礎，能夠提供更佳的品質因數(FOM)、更低的輸入和輸出電容，以及業界最出色的逆向復原性能，同時具有高效率。而且，這些MOSFET元件在小型封裝中容納了大量的功率，但不會產生過多的熱量，所以能夠提升用於液晶體電視和電漿電視的SMPS，以及用於照明系統、電腦電源、伺服器和電訊電源的SMPS應用的整體效率。
UniFET II MOSFET系列的首批產品包括FDPF5N50NZ和FDPF8N50NZ N通道 MOSFET。FDPF5N50NZ是500伏特(V)，4.5安培(A)，1.5歐姆(Ω)元件，在VGS = 10V，ID = 2.25A下具有1.38Ω的RDS；以及低閘極電荷。FDPF8N50NZ則是 500V，8A，0.85Ω元件，在VGS = 10V, ID = 4A下具有0.77Ω的RDS；以及低閘極電荷。
這些MOSFET為業界少數具有2kV HBM 穩健ESD性能的元件，有助保護應用設備免受不良的靜電事件所影響。
快捷半導體作為功率電子技術的領導廠商，將繼續提供功能、製程和封裝技術方面的獨特組合，以應對電子設計的各種挑戰。這些MOSFET都是快捷半導體全面的MOSFET產品系列的一部份，它們可為設計人員提供從-500～1000V的特大崩潰電壓範圍、先進封裝和業界領先的FOM因數，能為任何需要功率轉換的應用提供高效率的功率管理。
快捷網址：www.fairchildsemi.com