格羅方德宣布已證實運用14納米FinFET工藝在矽晶片上實現真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產品系列的一部分，FX-14具有56Gbit/s SerDes，致力於為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應對最嚴苛的長距離高性能應用需求而準備。
格羅方德宣布已證實運用14納米FinFET工藝在矽晶片上實現真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產品系列的一部分，FX-14具有56Gbit/s SerDes，致力於為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應對最嚴苛的長距離高性能應用需求而準備。
格羅方德全球銷售和業務開發部高級副總裁Mike Cadigan先生表示，這一里程碑彰顯出該公司能夠設計出最佳的ASIC解決方案，並以極具競爭力的功率和晶片面積為最為嚴苛的網路和資料中心應用提供業內頂尖的56Gbit/s性能。憑藉成功且歷經考驗的SerDes開發和ASIC技術經驗，並與格羅方德的14LPP技術完美結合，該公司將助力客戶通過整合且高性能的內核將新應用經濟高效地推向市場。
格羅方德56Gbps SerDes內核同時支援PAM4和NRZ訊號傳導，可補償超過35dB的插入損耗，因而無須在目前極具挑戰性的系統內容中部署昂貴的高功耗中繼器。56Gbit/s SerDes採用突破性的創新架構，實現了業界領先的長距離傳輸性能，甚至超越了OIF CEI-56G-LR和IEEE 802.3cd等新興的50Gbit/s行業標準。