IDT發表精確全矽晶互補式金屬氧化物半導體(CMOS)振盪器，於溫度、電壓，和其他因素方面，達到領先業界的100ppm整體頻率誤差，採用IDT CMOS振盪器專利技術，以100ppm以下頻率精確度的單晶體CMOS IC取代以石英晶體為基礎的振盪器，不需使用任何機械頻率源或PLL就能擁有超薄的外型設計。
IDT發表精確全矽晶互補式金屬氧化物半導體(CMOS)振盪器，於溫度、電壓，和其他因素方面，達到領先業界的100ppm整體頻率誤差，採用IDT CMOS振盪器專利技術，以100ppm以下頻率精確度的單晶體CMOS IC取代以石英晶體為基礎的振盪器，不需使用任何機械頻率源或PLL就能擁有超薄的外型設計。
此產品是特別針對下一代儲存、數據通訊，和連接介面而設計，例如1Gb乙太網路、序列式附加小型電腦系統介面(SAS)、第三代通用序列匯流排(USB 3.0)，和PCI Express等。IDT3C02為一般用途的石英晶體振盪器提供一個低功耗、低訊號抖動的替代方案，成為伺服器、企業設計，以及配備乙太網路埠之數據通訊裝置的理想方案。
IDT副總裁暨通訊部門總經理Fred Zust表示，IDT3C02以低於100ppm的整體頻率誤差，創下時脈產業的重大突破。它提供一個優於晶體方案的理想選擇，擴充今年稍早前發表的晶圓形式全矽晶CMOS振盪器範疇，並拓展IDT時脈技術的領導地位。
IDT3C02振盪器在晶片上產生高精度的頻率，而不需仰賴壓電或機械式諧振器。該元件採用現有的標準CMOS製程，利用可編程架構且支援多種不同組態選項，以符合廣泛的應用需求。其中最關鍵的選項或許是由工廠進行程式設定的作業頻率，相較於傳統的石英解決方案，此元件擁有較短的交貨時間，並且包含獨特或少見的頻率。
此外，IDT3C02振盪器採用一個獨特的類比核心設計，僅消耗不到2.5毫安培(mA)，因此成為高頻石英和以鎖相迴路(PLL)為基礎振盪器的一種低功耗替代方案，同時提供同級產品最好的-140dBc/Hz相位雜訊。該元件提供業界標準石英晶體5x3.2毫米(mm)相容封裝，但免除了密封陶瓷封裝的必要，改採低成本的薄型MSL1 plastic IC封裝。
IDT3C02亦提供200奈安培(nA)低功耗待機模式，以及100微秒(us)的快速啟動時間。這些功能的組合讓其成為相當注重功耗設計的理想選擇，並允許經常性的電力循環以進一步節省功耗。由於該元件並未包含移動元件，並且是以電子方式產生頻率而非採用機械或壓電諧振器，因此這個全矽晶單晶體設計具備絕佳的撞擊與震動耐受性。
IDT網址：www.IDT.com