美國國家半導體(NS)推出三款多通道 PowerWise 10Gb/s中繼器，其特點是具有業界產品中最高的36dB等化增益，每通道僅55毫瓦(mW)的功耗也比目前市場上其他解決方案少一半，還可延長一倍的電纜長度，以24-AWG 電纜為例，傳送距離可長達20公尺。 預計這幾款中繼器的推出可進一步鞏固美國國家半導體在先進類比技術方面的領導地位。
美國國家半導體10Gb/s中繼器系列晶片採用該公司的第三代矽鍺(SiGe) BiCMOS製程技術製造，具有「接收等化」和「發送數位式波形還原」兩種功能，可為資料中心及高效能通訊系統提供通道損耗補償，也就是說這系列中繼器晶片可以延長電纜的傳送距離而且將資料頻寬提高至10.3125Gb/s，因此適用於符合10GbE、Fibre Channel、XAUI、CPRI 和 Infiniband 等串列傳輸協定的高速主動式電纜組件及FR-4 背板。 此外，這幾款中繼器也可支援儲存系統的SAS/序列是先進附加介面(SATA)外頻(OOB)訊號傳輸功能。
由於網際網路湧現大量多媒體內容，加上雲端運算及多核心虛擬化伺服器的出現，因此新一代的資料中心運算系統對介面頻寬的要求越趨嚴格。 但互連線路的長度仍維持不變，使功耗及訊號完整性成為另一個有待解決的問題。 主動式銅線電纜組件及背板電路板只要內建美國國家半導體的訊號調節器就可確保訊號完整無缺、減少系統功耗及讓用戶可以採用成本低於光纖電纜的銅導線。
採用美國國家半導體10Gb/s中繼器的主動式銅導線互連方案的功耗只有市場上其他線路互連方案的四分之一，而電纜傳送距離則可延長兩倍。 美國國家半導體此系列中繼器能夠有這樣的優勢是因為採用全新的矽鍺BiCMOS製程製造，使其中的電晶體可以支援較高的頻寬、產生較少雜訊及大幅減少訊號抖動和功耗。四通道的DS100BR410晶片適用於高密度的連接器如QSFP和CXP，而DS100BR111晶片則適用於單通道的SFP+連接器。
DS100BR410 晶片內含四條單向通道，每通道功耗只有55毫瓦(mW)而且只需一個2.5V的電源供應。 此外，由於這款晶片可以透過接收等化功能將訊號增強至多到36dB，而發送數位式波形還原功能則可將訊號減弱9dB，使系統可為每一個通道的損耗提供補償，因此這款晶片可以延長電纜的傳送距離，讓工程師為系統選擇電纜時有更大的靈活性。
DS100BR210 晶片內含兩條單向通道，而DS100BR111 晶片則有一條雙向通路， 每通道功耗都只有65mW。這兩款晶片都可採用3.3伏特(V)及2.5伏特的供電，而且同樣具備增益高達至多36dB的接收等化功能和-12dB的發送數位式波形還原功能。
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