科林研發(Lam Research)宣布，已在其Flex介電質蝕刻系統中增加了原子層蝕刻(ALE)功能，以擴展ALE技術的產品組合。運用科林研發的先進混合模式脈衝(AMMP)技術，新的ALE製程展現出原子級的控制能力，可克服邏輯元件微縮至10奈米以下時面對的重要挑戰。
科林研發(Lam Research)宣布，已在其Flex介電質蝕刻系統中增加了原子層蝕刻(ALE)功能，以擴展ALE技術的產品組合。運用科林研發的先進混合模式脈衝(AMMP)技術，新的ALE製程展現出原子級的控制能力，可克服邏輯元件微縮至10奈米以下時面對的重要挑戰。
科林研發蝕刻產品部門副總裁Vahid Vahedi表示，從電晶體和接點建立(Contact Creation)到連線圖樣(Interconnect Patterning)，邏輯製造商需要全新等級的精密度才能持續微縮到10奈米以下的製程節點。對自動對準接點(Self-aligned Contact)等這類元件促成關鍵技術(Device-enabling)應用來說，蝕刻有助於建立關鍵結構，但是傳統的技術無法提供符合現在嚴格規範所需的足夠控制能力。
針對下一代的邏輯與晶圓製造應用，科林研發的Flex介電質蝕刻系統可提供業界最先進的電容式耦合電漿(CCP)反應器，它獨特的小容量設計可提供穩定可靠的生產結果。此最新系統採用屬獨家的AMMP技術，以藉此實現二氧化矽(SiO2)等介電質薄膜的ALE製程。與先前的介電質蝕刻技術相比，此功能可提升2倍的選擇性，而且還能提供原子級的控制能力。
科林研發網址:www.lamresearch.com