Diodes近日推出第一批使用DIOFET專利製程開發的產品，這種製程技術把一個功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和反向平行Schottky二極體結合於單一晶片上。
Diodes近日推出第一批使用DIOFET專利製程開發的產品，這種製程技術把一個功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和反向平行Schottky二極體結合於單一晶片上。
最新的DMS3014SSS和DMS3015SSS元件適用於同步降壓負載點(PoL)轉換器的低邊MOSFET位置，有助於提高效率，同時減少高容量運算、電信和工業應用中快速開關PoL轉換器的操作溫度。
在10伏特(V)的Vgs電壓下，DMS3014SSS和DMS3015SSS的導通電阻值分別只有10毫歐姆(mΩ)和8.5毫歐姆。它們能夠把傳統上與低邊MOSFET相關的傳導損失減至最低。同時，DIOFET整合Schottky二極體的順向電壓，較同類型的MOSFET或Schottky二極管低25%，也較典型MOSFET的本質二極體低48%，因而減少開關損耗、提高效率。
DIOFET整合Schottky二極體擁有低反向恢復電荷(QRR)，以及更軟性的逆向恢復特點，能夠進一步減少二極體的開關損耗。
在基準測試中，DIOFET的操作溫度較其他運算方案低5%。MOSFET的接合溫度每降低10oC，DIOFET的永久可靠性便增加一倍，大幅提升PoL轉換器的可靠性。
Diodes網址：www.diodes.com