德州儀器(TI)發表業界首款量產、具有鎖相迴路(PLL)的DDR3暫存器SN74SSQE32882，該元件為針對附帶暫存器的雙線記憶體模組(RDIMMs)設計，並且可透過固定的時脈以及輸出延遲消除對電壓與溫度變化的影響，使系統更具穩定性。該單晶片四排(Quad Rank)的設計可更節省電路板上的整體空間，同時能降低伺服器、工作站以及儲存裝置的耗電量。
德州儀器(TI)發表業界首款量產、具有鎖相迴路(PLL)的DDR3暫存器SN74SSQE32882，該元件為針對附帶暫存器的雙線記憶體模組(RDIMMs)設計，並且可透過固定的時脈以及輸出延遲消除對電壓與溫度變化的影響，使系統更具穩定性。該單晶片四排(Quad Rank)的設計可更節省電路板上的整體空間，同時能降低伺服器、工作站以及儲存裝置的耗電量。
SN74SSQE32882之28～56位元暫存緩衝器操作電壓為1.5伏特，並支援同位檢查的功能以確保其可靠性。該晶片可支援由800M～1333Mbps的高資料傳輸率，以提供客戶在設計上的彈性，而且單一模組可支援高達七十二個DRAM。
新元件超越「美國電子工程設計發展聯合協會」(Joint Electron Device Engineering Council)在溫度與電壓穩定性上所規定的要求，是高效能伺服器系統在可靠性上的保證。德州儀器表示，透過與領先業界的產業夥伴們之合作，該公司推出SN74SSQE32882，以滿足並且超越在DDR3系統上嚴苛的效能要求以及穩定性要求。
德州儀器網址：www.ti.com