恩智浦半導體(NXP)，宣布推出全球首款n通道、1毫歐以下25伏特金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品，型號為PSMN1R2-25YL，該產品擁有最低的導通電阻（R
恩智浦半導體(NXP)，宣布推出全球首款n通道、1毫歐以下25伏特金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品，型號為PSMN1R2-25YL，該產品擁有最低的導通電阻（R
DSon）與一流的FOM參數，該產品是目前為止採用Power-SO8無損封裝中具備最低導通電阻的金屬氧化物半導體場效電晶體產品，也是恩智浦現有金屬氧化物半導體場效電晶體產品系列的延伸。最新一代金屬氧化物半導體場效電晶體產品整合了高性能Power-S08無損封裝與最新Trench 6代矽技術，可在多種特殊要求的應用條件下，例如電源OR-ring、電機控制和高效同步降壓調節器等，提供不同的性能與可靠的優勢。
恩智浦資深國際產品行銷經理John David Hughes表示，在金屬氧化物半導體場效電晶體製造技術領域，性能改善是一場長時間的競賽，該公司在最新Trench 6中採用創新技術，進一步降低導通電阻。對客戶而言，新的Trench技術為他們帶來許多效益，例如，提高矽技術的開關效率，以及在封裝上提供更為優異的電阻和熱阻封裝性能，該公司Power-S08無損封裝與所有被廣泛接受的Power SO-8 PCB封裝皆相容。
恩智浦網址：www.nxp.com