Diodes推出的雙極電晶體(BJT)、金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和瞬態電壓抑制(TVS)元件，採用超小型SOT963封裝，效能可媲美更大封裝的元件。
Diodes推出的雙極電晶體(BJT)、金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和瞬態電壓抑制(TVS)元件，採用超小型SOT963封裝，效能可媲美更大封裝的元件。
適合低功耗應用，Diodes SOT963的面積僅0.7平方毫米，比SOT723封裝少30%、SOT563封裝少60%。精簡面積加上0.5毫米的離板高度，SOT963封裝產品能滿足超小型可攜式電子設備的需求。
現階段推出的SOT963封裝產品，包括六款通用的雙極雙電晶體組合、三款小訊號雙MOSFET組合及一個四線配置TVS陣列DUP412VP5。這些設備的接腳封裝，支援手焊及目測，並省卻X光檢測。
採用SOT963封裝的雙電晶體，包括雙NPN、雙PNP和互補NPN-PNP配對，額定集射極崩潰電壓(VCEO)為40伏特(V)和45V。雙N型、雙P型及互補MOSFET元件提供20V的額定汲源極崩潰電壓(BVDSS)，額定導通電阻(RDS(ON))都在1.5V下測量。
Diodes網址：www.diodes.com