富士通半導體(Fujitsu)台灣分公司宣布，富士通成功透過矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)功率元件讓伺服器電源供應器達到2.5千瓦(kW)的高輸出功率，並擴大電源供應的增值應用，實現低碳能源社會。富士通半導體的GaN功率元件將於2013年下半年投入量產。
富士通半導體(Fujitsu)台灣分公司宣布，富士通成功透過矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)功率元件讓伺服器電源供應器達到2.5千瓦(kW)的高輸出功率，並擴大電源供應的增值應用，實現低碳能源社會。富士通半導體的GaN功率元件將於2013年下半年投入量產。
相較於傳統的矽功率元件，GaN功率元件擁有較低導通電阻的特性，可支援高頻率運作。這些特性有助於提高電源供應器的轉換效率，並可縮小體積。富士通半導體計畫將矽基板GaN功率元件商用化，藉由增加矽晶圓直徑達到低成本量產的目標。
富士通半導體近期與富士通研究所進行多項共同技術開發計畫，包括開發製程技術來增加矽基板上的高品質GaN晶體數量、開發元件技術來控制開關切換時上升的導通電阻，以及設計可支援GaN元件高速開關的電源供應器電路配置。這些技術讓富士通半導體在GaN功率元件的功率因數校正(Power Factor Correction)電路中，成功達到高於傳統矽元件效能的轉換效率。
富士通網址：www.fujitsu.com