瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布推出兩款全新系列的進階低功率SRAM(Advanced LP SRAM)，為目前最主要的低功耗SRAM類型，其設計可提供更高的可靠性及更長的備份電池使用壽命，適用於工廠自動化(FA)、工業設備及智慧電網等應用。新款RMLV1616A系列16Mb裝置採用110奈米(nm)製程，RMWV3216A系列32Mb裝置採用創新的記憶體單元技術，可大幅提升可靠性並有助於提供更長的電池運作時間。
瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布推出兩款全新系列的進階低功率SRAM(Advanced LP SRAM)，為目前最主要的低功耗SRAM類型，其設計可提供更高的可靠性及更長的備份電池使用壽命，適用於工廠自動化(FA)、工業設備及智慧電網等應用。新款RMLV1616A系列16Mb裝置採用110奈米(nm)製程，RMWV3216A系列32Mb裝置採用創新的記憶體單元技術，可大幅提升可靠性並有助於提供更長的電池運作時間。
近年來對於高安全與可靠使用者系統的需求，帶動高可靠SRAM需求的成長，這些SRAM用於儲存重要資訊，例如系統程式與金融交易資料。預防α輻射與宇宙中子輻射造成軟體錯誤是一項重大的議題。處理此問題的典型措施包括在SRAM或使用者系統中內嵌錯誤修正碼(ECC)電路，以修正所發生的任何軟體錯誤。但是，ECC電路的錯誤修正功能有其限制。例如，有些電路無法修正同時發生且影響多個位元的錯誤。
瑞薩的進階低功率SRAM裝置的記憶體單元具備獨家技術，其軟體錯誤耐受性為傳統全CMOS記憶體單元的500倍以上。因此非常適合用於需要高可靠性的領域，包括FA、測量裝置、智慧電網相關裝置及工業設備，以及其他許多領域，例如消費性裝置、辦公室設備及通訊裝置。
瑞薩電子網址:www.tw.renesas.com