格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)推出為行動市場所設計的14奈米(nm)-XM技術，將提供三維(3D)鰭式場效電晶體(FinFET)電晶體的效能及能源優勢，不僅可降低風險，更能加快開發出新一代智慧行動裝置。
格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)推出為行動市場所設計的14奈米(nm)-XM技術，將提供三維(3D)鰭式場效電晶體(FinFET)電晶體的效能及能源優勢，不僅可降低風險，更能加快開發出新一代智慧行動裝置。
格羅方德技術長Gregg Bartlett表示，公司投入鰭式場效電晶體研發已超過10年，這項技術將進入生產階段。XM為非平面式架構，可優化行動系統單晶片(SoC)設計，提供從電晶體到系統層級的完整產品解決方案。在20奈米技術節點，相較於目前的二維(2D)平面式電晶體，這項技術預計可望提升40%～60%的電池使用壽命。
14奈米-XM採用模組化的技術架構，結合14奈米的鰭式場效電晶體元件與公司即將量產的20奈米-LPM製程技術。運用成熟的20奈米-LPM技術，讓想利用鰭式場效電晶體單晶片優勢的客戶，能以最快的速度順利轉移。技術研發工作已展開，矽晶片也已透過格羅方德位於紐約薩拉托加郡的晶圓八廠進行測試。
格羅方德網址：www.globalfoundries.com