英飛凌(Infineon)宣布，已成功開發出全球首創12吋氮化鎵(GaN)功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握這一突破性技術的企業。這項突破將極大地推動GaN功率半導體市場的發展。相較於8吋晶圓，12吋晶圓因晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的晶片數量增加了2.3倍，效率顯著提高。
基於GaN的功率半導體正在工業、汽車、消費、運算和通訊應用中快速普及，包括AI系統電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及馬達控制系統等。先進的GaN製程能夠提高元件性能，為終端客戶的應用帶來諸多好處，包括更高的效率、更小的尺寸、更輕的重量和更低的總體成本。此外，憑藉著可擴展性，12吋製程在客戶供貨方面具有極高的穩定性。
英飛凌已經成功在其奧地利菲拉赫(Villach)功率晶圓廠中，利用現有12吋矽生產設備的整合試產線，製造出12吋GaN晶圓。英飛凌正透過現有的12吋矽基以及8吋GaN的成熟產能發揮其優勢，同時還將根據市場需求進一步擴大GaN產能。憑藉12吋GaN製程技術，英飛凌將推動GaN市場的不斷成長。據估計，到2030年末，GaN市場規模將達到數十億美元。
英飛凌透過布局12吋GaN製程技術，打造更具成本效益價值，能夠滿足客戶系統全方位需求的產品，以強化現有的，並實現新的解決方案及應用領域。英飛凌將在2024年11月舉行的慕尼黑電子展(electronica)上向大眾展示首批12吋GaN晶圓。
由於GaN和矽的製程十分相似，因此12吋GaN技術的一大優勢是可以利用現有的12吋矽製造設備。英飛凌現有的大批量12吋矽生產線適合用於試產可靠的GaN技術，既加快了實現的速度，也有效地利用資本。12吋GaN的全規模化生產將有助於實現GaN與矽的成本在同一RDS(on)級別能夠接近，這意味著同級矽和GaN產品的成本將能夠持平。