英飛凌科技(infineon) 推出最新的 TRENCHSTOP先進絕緣封裝技術，包括 TRENCHSTOP 和 TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT 兩種版本，擁有極佳的散熱效能以及更簡易的製程。這兩種版本經過效能最佳化，可取代完全絕緣封裝 (FullPAK)以及標準型和高效能型絕緣片，適用於空調、不斷電系統(UPS) 的功率因數校正(PFC)，以及馬達驅動的電源轉換器等應用。
英飛凌科技(infineon) 推出最新的 TRENCHSTOP先進絕緣封裝技術，包括 TRENCHSTOP 和 TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT 兩種版本，擁有極佳的散熱效能以及更簡易的製程。這兩種版本經過效能最佳化，可取代完全絕緣封裝 (FullPAK)以及標準型和高效能型絕緣片，適用於空調、不斷電系統(UPS) 的功率因數校正(PFC)，以及馬達驅動的電源轉換器等應用。
此先進絕緣具備與標準型 TO-247 相同的尺寸，且絕緣能力達 100%，且無需使用絕緣片或散熱膏。新封裝提供從 IGBT 晶片到散熱器的有效且可靠的散熱路徑，有助於提升功率密度及可靠度，同時降低系統與製造成本。
由於不需絕緣材料與散熱膏，設計人員可省下多達 35% 的組裝時間。此外，也可免去絕緣片無法對齊的問題，因此可靠度更高。新封裝的熱阻 (Rth) 比 TO-247 FullPak 減少 50%，比使用絕緣片的標準型 TO-247 封裝減少 35%，使新封裝的效能更為優異，舉例來說，其運作溫度較採FullPak 封裝的IGBT 降低了 10°C。相較於使用絕緣箔的標準型 TO-247，採用先進絕緣封裝可提升系統效率達 0.2 %。
新封裝的耦合電容值僅 38 pF， EMI 效能更佳優異，濾波器尺寸也可縮小。更佳的散熱特性讓IGBT 能以更低的溫度運作，進而減少對元件造成的應力，因此可靠度也獲得提升。此外，溫度降低，也有助於縮小散熱器尺寸，有助於節省系統成本。冷卻需求降低後，設計人員便能選擇利用多出的空間來提升功率密度。