華邦電子以65奈米的Buried World Line製程，推出四款512Mb的行動記憶體，將行動記憶體應用的涵蓋領域除行動電話產品外，擴大至手持消費性及行動資料通訊等市場。
華邦電子以65奈米的Buried World Line製程，推出四款512Mb的行動記憶體，將行動記憶體應用的涵蓋領域除行動電話產品外，擴大至手持消費性及行動資料通訊等市場。
W989D6C與W989D2C為512Mb低功耗單存取同步動態隨機存取記憶體 (LPSDR)，分別支援×16及×32資料傳輸頻寬。主要支援序列(Sequential)或數據交錯儲存暴量(Interleave Burst)、166MHz工作頻率、標準的自我刷新模式(Self Refresh Mode)、具省電功能的局部自刷新(PASR)、及溫度補償自刷新(ATCSR)、深度休眠(DPD)、可程式Output Buffer Driver Strength等功能；W949D6C與W949D2C為512Mb低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體(LPDDR)，分別支援×16及×32資料傳輸頻寬。
上述四款記憶體均適用於手持多媒體播放器、電子書閱讀器、行動電話、3.5G/4G行動網卡、車用產品、手持消費性電子產品、掌上型遊戲機及其他手持裝置。
華邦電子網站：www.winbond.com