MOSFET PQFN 快捷

快捷Dual Cool封裝邁向更高功率密度

2010-10-28
隨著電源模組、電訊和伺服器等直流對直流(DC-DC)應用設備的空間變得愈來愈緊凑,設計人員也在積極地找尋更小的元件,以克服其設計上的挑戰,而元件的散熱性能是人們關注的考慮因素。  
隨著電源模組、電訊和伺服器等直流對直流(DC-DC)應用設備的空間變得愈來愈緊凑,設計人員也在積極地找尋更小的元件,以克服其設計上的挑戰,而元件的散熱性能是人們關注的考慮因素。  

爲了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求,快捷(Fairchild)開發出適用於金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)元件的Dual Cool封裝,Dual Cool封裝是一種採用嶄新封裝技術的頂部冷卻PQFN元件,可以經由封裝的頂部提供額外的功率耗散。  

Dual Cool封裝具有外露的散熱塊,能夠顯著地減低從接面到外殼頂部的熱阻。與標準PQFN封裝相比,Dual Cool封裝在配合散熱片使用時,可將功率耗散能力提高60%以上。此外,採用Dual Cool封裝的MOSFET藉由使用快捷半導體專有的PowerTrench製程技術,能夠以較小的封裝尺寸提供更低的RDS(ON)和更高的負載電流。  

不同於其他採用頂部冷卻的解決方案,這些元件提供有Power33和Power56 Dual Cool封裝選項。Dual Cool封裝的占位面積與產業標準的PQFN相同,可讓電源工程師快速驗證採用Dual Cool封裝的MOSFET元件,無需採用非標準封裝,即可獲得更佳的熱效率。  

目前採用Dual Cool封裝的元件包括FDMS2504SDC、FDMS2506SDC、FDMS2508SDC、FDMS2510SDC和FDMC7660DC,這些元件是用於DC-DC轉換器、電訊次級側整流和高階伺服器/工作站應用的同步整流MOSFET的理想選擇。快捷半導體Dual Cool 封裝MOSFET具有頂部冷卻和超低接面溫度(RthJA)特性,能夠提升散熱效率。採用Dual Cool封裝的MOSFET元件可以使用或不使用散熱片。  

快捷網址: www.fairchildsemi.com

本站使用cookie及相關技術分析來改善使用者體驗。瞭解更多

我知道了!