慧榮科技(Silicon Motion Technology)於美國加州快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)中展示最新款SM2256 SATA 6Gbit/s固態硬碟(SSD)控制晶片，可支援1x/1y/1z奈米(nm)及未來三維(3D)TLC NAND。最新SM2256控制晶片，搭載獨有NANDXtend解錯修正技術，在多層解錯修正機制下，增加資料讀寫保護能力，大幅提升高達三倍的三層式儲存(TLC)NAND寫入/抺除的次數(P/E Cycle)，為TLC SSD控制晶片解決方案。
慧榮科技(Silicon Motion Technology)於美國加州快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)中展示最新款SM2256 SATA 6Gbit/s固態硬碟(SSD)控制晶片，可支援1x/1y/1z奈米(nm)及未來三維(3D)TLC NAND。最新SM2256控制晶片，搭載獨有NANDXtend解錯修正技術，在多層解錯修正機制下，增加資料讀寫保護能力，大幅提升高達三倍的三層式儲存(TLC)NAND寫入/抺除的次數(P/E Cycle)，為TLC SSD控制晶片解決方案。
慧榮科技總經理苟嘉章表示，這次以獨有NANDXtend靭體技術，提出最好的TLC SSD解決方案，更能順應巿場需求，提供給SSD原始設備製造商(OEM)最具價格競爭力的解決方案。IHS iSuppli首席分析師Michael Yang預期2015年TLC SSD將會有40%以上的巿占率。Forward Insights主席Gregory Wong認為，快閃記憶體正在趨向於TLC技術，進而影響到巿場對SSD價格的接受，也因此打開整體SSD巿場的銷售量。
慧榮科技獨有的NANDXtend解錯修正技術，在靭體上設計三維解錯修正機制，有效運用低密度奇偶修正碼(Low Density Parity Check Code, LDPC)及磁碟陣列(RAID)修正技術，可高速平行解碼且精準即時修正錯誤，三維解錯修正機制可依解錯的難易度來分層開啟解錯修正機制，增加TLC NAND的寫入/抺除次數。此外，SM2256 TLC SSD控制晶片不須預留空間就可發揮極致的錯誤修正能力，完整保留儲存空間給消費者。
慧榮科技網址：www.siliconmotion.com