微機電系統(MEMS)、奈米科技與半導體市場的晶圓接合暨微影技術設備廠商EV Group(EVG)日前發表具革命性的次世代微影MLE(Maskless Exposure)技術，能滿足先進封裝、微機電系統、生物醫學及高密度印刷電路板(PCB)等應用在未來後段微影製程的各種需求。MLE是全球首創為量產環境提供高擴充性的無光罩微影技術，除了結合高解析度的電路圖案成形(patterning)、高傳輸量與高良率等特色外，還可消弭光罩衍生的各種高昂間接成本，例如光罩的管理與基礎設施的維護。此外，MLE更具備卓越的彈性，可大幅縮短新元件的開發週期。
MLE技術透過採用緊密整合群聚式寫入頭(write-head)組態，及多重波長高功率紫外線光源，不僅能容納各種大小晶圓及大尺寸面板，還能支援所有市售的光阻劑。此外，製程產出量不受電路配置的複雜度及解析度影響，且MLE不論使用何種光阻劑都能維持相同的電路圖案成形效能。MLE補足EVG現有微影系統產品線，針對各種在使用其他技術方案中面臨擴充性、擁有成本(CoO)及其他限制的新興應用的需求。
MLE技術目前正於EVG公司總部展示，並正在納入EVG新設備產品系列的階段，日後將於適當的時機對外發表。
EVG技術執行總監Paul Lindner表示，全新的MLE技術在各種後段製程微影應用將能發揮所長，且與其他需在效能與成本之間妥協的步進機(Stepper)等圖案成形技術不同，客戶再也不用為了滿足後段圖案成形的需求，在解析度、速度、彈性與擁有成本之間做出取捨。透過與許多試用客戶共同進行的初期研發成果，已證實MLE技術的應用範圍相當廣泛且數量正持續增加。在此獨特曝光技術從研發階段邁入成為首款產品之際，期盼能與業界更多的公司合作，以支援更廣泛能受益於MLE技術的新元件與應用。