TI推出高壓驅動集成解決方案

高電壓新技術開發事業群主管Steve Tom表示，氮化鎵就像增壓引擎，讓系統更快、更猛，而且功率更高；只要搭配驅動程式、封裝與其他組件，確實就能提升任何系統的效能。

GaN開發團隊的系統暨應用工程師Eric Faraci談到，隨著我們對電子產品的期待提升、以及因物聯網持續發展而使各種裝置相互連結的情況下，我們也就耗用更多電力。電力消耗愈多，就需要興建更多大型發電廠。然而氮化鎵這樣的技術可以大幅提升效率，或許足以讓我們不必再增加發電能力。

GaN是一種超高速半導體材料，由鎵與氮兩種元素合成，可供電子自由移動穿越，效果更甚於矽─也就是長久以來製造電子產品的基本要素。小自手機，大至高端工業機具和伺服器，各種系統的電路運作，皆需切換數百萬計的小型開關；而開關每一次作動，都會產生熱能。

氮化鎵便是更優質且更有效率的半導體材料，可大幅減少生熱，因此設計人員能夠將較多開關納入更小的空間。

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