美高森美(Microsemi)發布專門用於高電流、低導通阻抗(RDSon)碳化矽(SiC)MOSFET功率模組的極低電感封裝。該款全新封裝專為用於其SP6LI產品系列而開發，提供適用於SiC MOSFET技術的2.9nH雜散電感，同時實現高電流、高開關頻率以及高效率。美高森美將在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展上展示使用新封裝的SP6LI功率模組，以及其他現有產品系列中的SiC功率模組產品。
美高森美(Microsemi)發布專門用於高電流、低導通阻抗(RDSon)碳化矽(SiC)MOSFET功率模組的極低電感封裝。該款全新封裝專為用於其SP6LI產品系列而開發，提供適用於SiC MOSFET技術的2.9nH雜散電感，同時實現高電流、高開關頻率以及高效率。美高森美將在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展上展示使用新封裝的SP6LI功率模組，以及其他現有產品系列中的SiC功率模組產品。
美高森美副總裁兼功率離散器件和模組業務部門經理Leon Gross表示，極低雜散電感標準SP6LI封裝非常適合為用於高開關頻率、高電流和高效率應用的SiC MOSFET器件改善性能，提供更小尺寸的電源系統解決方案以協助客戶大幅降低設備需求。其低電感封裝具有出色的開關特性，使客戶能夠開發更高性能的高可靠性系統，協助他們從競爭中脫穎而出。
美高森美繼續擴展其SiC解決方案的開發工作，已經成為向市場提供一系列Si/SiC功率離散式和模組解決方案的少數供應商之一。美高森美的SP6LI產品系列採用專為高電流SiC MOSFET功率模組而設計的最低雜散電感封裝之一，具有五種標準模組，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從1200V、210A至586A，以及Tc同為80°C的情況下達到1700V、207A的相臂拓撲。這種新型封裝具有更高的功率密度和緊湊的外形尺寸，可以使用較少數量的並聯模組來實現完整的系統，協助客戶進一步縮小設備尺寸。