香港商富士通(Fujitsu)台灣分公司宣布成功開發出鐵電隨機存取記憶體(1Mb FRAM)的MB85RS1MT元件，並採用八接腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)製程。全新WL-CSP製程可讓封裝面積僅有目前八接腳SOP(Small-Outline Package)封裝的23%，而厚度也約其五分之一，將擁有序列周邊介面(SPI)的1Mb FRAM變成業界最小尺寸FRAM元件。
香港商富士通(Fujitsu)台灣分公司宣布成功開發出鐵電隨機存取記憶體(1Mb FRAM)的MB85RS1MT元件，並採用八接腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)製程。全新WL-CSP製程可讓封裝面積僅有目前八接腳SOP(Small-Outline Package)封裝的23%，而厚度也約其五分之一，將擁有序列周邊介面(SPI)的1Mb FRAM變成業界最小尺寸FRAM元件。
WL-CSP FRAM為穿戴式裝置理想記憶體元件，除了可讓終端應用產品整體積變小外，更可讓FRAM在寫入資料時將功耗降至最低，並提供更持久的電池續航力。
穿戴式市場目前備受矚目並快速拓展，此類產品市場涵蓋種類繁多，包括眼鏡、頭戴式顯示器、助聽器及脈搏計等，還有記錄卡路里消耗量和運算資料的活動記錄器。
一般非揮發性隨機存取記憶體(Non-Volatile Random Access Memory, NVRAM)技術，如電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM)和快閃記憶體(Flash Memory)只能確保資料完整性最少可寫入100萬次；而富士通FRAM技術可將資料完整性提高到最少10兆次讀/寫次數，因此在儲存即時記錄資料特別理想。
為更加發揮FRAM上述特性，富士通半導體為其MB85RS1MT產品線中的1Mb FRAM元件增添全新WL-CSO封裝，此元件採用業界標準SOP封裝，採用WL-CSP封裝後，其體積大小僅3.09mm×2.28 mm×0.33mm，封裝面積也只有SOP封裝23%；換言之，即能比SOP封裝面積減少77%。此外，其厚度僅0.33mm，相當於信用卡厚度一半，而封裝體積更比SOP封裝小95%。
相較於一般使用的EEPROM非揮發性記憶體，FRAM寫入資料的速度也比較快，因此可在寫入資料時大幅降低功耗。穿戴式裝置須經常寫入資料，在採用此FRAM後電池續航力更好，其裝置體積也可以縮小。
採用WL-CSP封裝的MB85RS1MT元件，對穿戴式裝置廠商而言則是提供更小、更薄和功能更豐富的產品，並大幅延長電力。
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