英飛凌(Infineon)宣布針對高電流汽車應用，推出具備全球最低導通電阻(RDS(on)) 的30伏特(V)金屬氧化物場效電晶體(MOSFET)。全新OptiMOS-T2 30V MOSFET 具備N通道(Signal N-channel)、180安培(A)汲極電流，且10V時的導通電阻值僅 0.9mΩ。IPB180N03S4L-H0採用D2PAK-7封裝，以最少的成本同時提供高額定電流及最低導通電阻，滿足客戶對標準封裝功率MOSFET的需求。
英飛凌(Infineon)宣布針對高電流汽車應用，推出具備全球最低導通電阻(RDS(on)) 的30伏特(V)金屬氧化物場效電晶體(MOSFET)。全新OptiMOS-T2 30V MOSFET 具備N通道(Signal N-channel)、180安培(A)汲極電流，且10V時的導通電阻值僅 0.9mΩ。IPB180N03S4L-H0採用D2PAK-7封裝，以最少的成本同時提供高額定電流及最低導通電阻，滿足客戶對標準封裝功率MOSFET的需求。
OptiMOS-T2產品以英飛凌強大的第二代功率MOSFET溝槽(Trench)技術為基礎，非常適用於高電流汽車馬達驅動應用、電子動力轉向(EPS)，尤其是啟動/停止功能。
基於對成本及效率的需求，採用溝槽式概念是業界必然的趨勢。相較於從前的技術，採用MOSFET溝槽技術(如OptiMOS-T2)，在導通電阻與閘電荷兩方面皆有顯著改善，進而產生業界最低的優值係數(FoM)。此外，英飛凌創新的高電流「Powerbond」技術突破MOSFET的銲線(Wirebond)限制，可減少銲線的導通電阻壓降，並提升電流能力。藉由維持更加冷卻的銲線，進而提升產品的可靠度。最新的Powerbond技術能於單一MOSFET中進行高達四個雙針腳500微米(µm)銲線，以及在標準封裝中使用180A額定電流。
OptiMOS-T2技術及堅固耐用的封裝設計，可於MSL1(Moisture Level 1)時的迴銲期間，承受260 °C的高溫，並支援符合有毒物質禁用指令(RoHS)標準的無鉛電鍍。 IPB180N03S4L-H0 MOSFET完全符合汽車電子協會(AEC-Q101)的規範。英飛凌的先進溝槽技術，提供低閘電荷、低電容、低切換耗損及絕佳的優質係數(FOM)，將電動馬達的效率提升至新高峰，同時將電磁幅射量(EMC)降至最低。此外，經過最佳化的閘電荷，還可支援更小的驅動器輸出階段。
英飛凌網址：www.infineon.com