德州儀器(TI)推出工作電壓可高達600V的半橋閘極驅動器，可用於離散式功率MOSFET和絕緣閘雙極電晶體(IGBT)設計。UCC27714高側、低側驅動器具有4A源電流和4A汲電流的處理能力，能夠將元件占板面積減少50%，進而在伺服器、電信和不斷電供應系統等工業設計所使用的高頻、離線AC/DC電源中實現更高的功率密度。
德州儀器(TI)推出工作電壓可高達600V的半橋閘極驅動器，可用於離散式功率MOSFET和絕緣閘雙極電晶體(IGBT)設計。UCC27714高側、低側驅動器具有4A源電流和4A汲電流的處理能力，能夠將元件占板面積減少50%，進而在伺服器、電信和不斷電供應系統等工業設計所使用的高頻、離線AC/DC電源中實現更高的功率密度。
UCC27714提供90奈秒(ns)的傳播延遲，此延遲比現有的矽解決方案低40%，在40℃至125℃溫度範圍內，對最大值為125ns的傳播延遲進行嚴密控制，並且在同樣的溫度範圍內可實現20ns的通道到通道延遲匹配。此裝置無需大體積閘極驅動變壓器，進而大大節省了高頻開關模式電力電子裝置內的電路板空間。
系統中的每個閘極驅動器都需要一個適用於終端應用的控制器。TI提供數款脈波寬度調變(PWM)、功率因數校正(PFC)和數位電源控制器。借助UCC27714和TI在近期發布的UCC29950結合PFC+LLC控制器，設計人員能夠開發出一款額定功率高達數百瓦的完整、離線AC/DC電源。UCC29950的全內部PFC補償精簡了設計步驟，進而加快上市時程，而三級過流保護和打嗝模式(Hiccup Mode)可確保短路和超載情況下能正常運行。
德州儀器:www.ti.com