德州儀器(TI)針對絕緣閘雙極性電晶體(Insulated-gate Bipolar Transistors, IGBT)與金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)推出一款隔離式閘極驅動器--ISO5500，速度比同等光學閘極驅動器快40%。
德州儀器(TI)針對絕緣閘雙極性電晶體(Insulated-gate Bipolar Transistors, IGBT)與金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)推出一款隔離式閘極驅動器--ISO5500，速度比同等光學閘極驅動器快40%。
ISO5500的電晶體對電晶體邏輯(TTL)輸入與輸出功率透過電容二氧化矽(SiO2)隔離層分開，與光耦合器(Optocoupler)及磁性隔離器(Magnetic Isolator)相比，可延長一倍元件使用壽命。該元件與隔離電源配合使用時，可阻斷高電壓、隔離接地、避免雜訊電流進入本地接地干擾或損壞敏感電路系統，進而提高電子產品的安全性與可靠度。
ISO5500支援過電流保護，而欠壓封鎖(Under-voltage Lockout)電路則可監控輸出電源，確保馬達控制、動作控制、工業逆變器以及開關模式電源等應用獲得足夠的閘極驅動電壓。如果輸出電源電壓低於12伏特(V)，則閘極驅動器輸出轉為邏輯低狀態(Logic-low State)，能關閉電源電晶體，避免元件過熱和損壞。最新閘極驅動器能夠在–40度C～+125度C的更廣泛溫度範圍內正常工作。
德州儀器網址：www.ti.com