瑞薩電子(Renesas Electronics)推出三十二款容許電壓為40及55伏特之新型N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。新款功率MOSFET包括採用小型HSON封裝的NP75N04YUK產品，安裝面積為現有TO-252封裝的一半，可處理75安培的電流。
瑞薩電子(Renesas Electronics)推出三十二款容許電壓為40及55伏特之新型N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。新款功率MOSFET包括採用小型HSON封裝的NP75N04YUK產品，安裝面積為現有TO-252封裝的一半，可處理75安培的電流。
三十二種新款功率MOSFET均採用瑞薩電子新開發的ANL2製程，可使導通電阻降至最低並提供更優異的高速開關效能。相較於傳統的UMOS4製程，ANL2製程可提升約40%的品質因數(FOM)效能指數，相當於裝置導通電阻乘上閘極電荷。新款NP75N04YUK產品結合先進的ANL2技術與小型HSON-8封裝，大小約為現有TO-252封裝的一半。這些優勢使NP75N04YUK產品最高可處理75安培的電流，並達到較低的3.3毫歐姆的導通電阻，為業界現有同等尺寸產品中最低者。
MOSFET提升約40%的品質因數(FOM)效能指數，相當於裝置導通電阻乘上閘極電荷，新開發的ANL2製程經過最佳化，可在導通電阻與低閘極電荷之間取得良好的平衡。導通電阻與低閘極電荷彼此之間直接相關，並以其數值相乘的結果做為產品製程效能的指數。新款功率MOSFET的FOM指數值較瑞薩電子以UMOS4開發之現有產品大約低了40%。
除了新開發的ANL2製程之外，新款功率MOSFET中有四款採用HSON封裝，約為使用現有TO-252封裝產品的一半，同時具有優異的散熱特性。這些優勢使容許電壓40伏特的NP75N04YUK可達到業界現有同等尺寸且適用於汽車之產品中，最低的導通電阻。
產品範圍從可處理180安培、適用於大電流用途如動力方向盤的規格，到35安培等級，適用於驅動小型螺線管的各種產品，並且包含適用於各種安裝組態的封裝類型。另外，40及50伏特額定容許電壓可滿足各種不同客戶的需求。瑞薩電子認為上述新款產品非常適合用於為汽車建構小型化、高效能的控制系統，並將計畫進一步擴大並強化其功率MOSFET產品系列。
瑞薩電子網址：www.tw.renesas.com