德州儀器(TI)宣布推出首批具高速及驅動電流效能的4安培(A)/8安培與4安培/4安培單通道低側閘極驅動器--UCC27511與UCC27517，大幅減少金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、絕緣閘雙極電晶體(IGBT)電源元件，以及寬能隙(Wide Band Gap, WBG)材料如氮化鎵(GaN)半導體的開關損耗。
德州儀器(TI)宣布推出首批具高速及驅動電流效能的4安培(A)/8安培與4安培/4安培單通道低側閘極驅動器--UCC27511與UCC27517，大幅減少金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、絕緣閘雙極電晶體(IGBT)電源元件，以及寬能隙(Wide Band Gap, WBG)材料如氮化鎵(GaN)半導體的開關損耗。
兩款新驅動器是德州儀器最新UCC2751x系列產品，有效取代使用雙極接面(Bipolar Junction)電晶體的獨立閘極驅動電路，可顯著提高離線(Off-line)隔離式電源、電信模組、空調系統、不斷電系統(UPS)及可攜式電動工具等應用的效率、可靠度及電源密度。
UCC27511與UCC27517主要技術特性包括以高電流驅動動能提高可靠度，如UCC27511可支援高達4安培源極、8安培汲極的驅動電流，而UCC27517則支援 4安培源極和汲極峰值電流脈衝。同時，新產品也具備快速開關速度，分別達到13奈秒(ns)快速標準傳播延遲及9奈秒、7奈秒升降時間，可實現極低的脈衝失真。
此外，新元件也分別降低開關損耗至0.375歐姆(Ω)和0.5歐姆下拉(Pull-down)電阻，可在電源開關轉換通過米勒平坦區(Miller Plateau)時，將開關損耗降至最低；而在米勒導通(Miller Turn-on Event)時，則提升抗擾(Immunity)。
德州儀器網址：www.ti.com