德州儀器 TI

德州儀器超小型FemtoFET MOSFET支援最低導通電阻

2013-11-22
德州儀器(TI)宣布針對智慧型手機與平板電腦等空間有限的手持應用推出業界最小型低導通電阻金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。該最新FemtoFET MOSFET電晶體系列採用超小型封裝,支援低於100mΩ的導通電阻。
德州儀器(TI)宣布針對智慧型手機與平板電腦等空間有限的手持應用推出業界最小型低導通電阻金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。該最新FemtoFET MOSFET電晶體系列採用超小型封裝,支援低於100mΩ的導通電阻。

FemtoFET MOSFET具備三個N通道及三個P通道,均採用平面柵格陣列(LGA)封裝,與晶片級封裝(CSP)相比,其可將電路板空間銳減40%。該元件支援低於100mΩ的超低導通電阻,比目前市場上類似元件低70%。所有FemtoFET MOSFET 均提供超過 4000伏特(V)的人體模型(HBM)靜電放電(ESD)保護。

德州儀器提供LP5907高電流LDO線性穩壓器以及TPS65090前端電源管理單位(PMU)等各種系列的電源管理產品,可為手持應用節省電路板空間,降低功耗。

德州儀器網址:www.ti.com

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