聯華電子與智原科技(Faraday)日前共同發表，在聯電55奈米低功耗嵌入式快閃記憶體(Embedded Flash, eFlash)製程的基礎矽智財元件庫(Cell Library)、記憶體編譯器(Memory Compiler)，以及關鍵介面IP等。這套完整的55奈米eFlash解決方案可同時滿足市場對低功耗與高密度的設計需求，尤其適用於各種物聯網(IoT)與穿戴裝置(Wearable Devices)等應用。
聯華電子與智原科技(Faraday)日前共同發表，在聯電55奈米低功耗嵌入式快閃記憶體(Embedded Flash, eFlash)製程的基礎矽智財元件庫(Cell Library)、記憶體編譯器(Memory Compiler)，以及關鍵介面IP等。這套完整的55奈米eFlash解決方案可同時滿足市場對低功耗與高密度的設計需求，尤其適用於各種物聯網(IoT)與穿戴裝置(Wearable Devices)等應用。
智原科技市場處處長暨發言人顏昌盛表示，針對低功耗的應用產品，智原從0.18微米、0.11微米，到現在的55奈米eFlash製程，與聯電始終保持非常密切的合作關係，以建構強大的解決方案平台，提供客戶採用。智原奠基於長期以來所累積的IP開發實力以及對聯電製程的熟悉度，所以這次得以推出大幅降低功耗的矽智財。而隨著這項重大里程碑的達成，以及智原與聯電的持續合作，相信雙方的客戶都將能在最短的時間內，攫取物聯網市場的新興商機。
對於需要長時間待機的電子裝置，為了延長電池續航力，低功耗的設計是首要門檻。為了滿足這樣的需求，智原透過低漏電記憶體周邊的優化設計，將記憶體編譯器的功耗大幅降低，甚至在待機模式(Stand-By Mode)時，降低幅度達70%以上。I/O元件庫在數位與類比介面都有提供，並有一套與5.0伏特介面相容的高壓I/O元件庫可供選擇，這些IO元件庫都是採用聯電高臨界電壓HVT(High Threshold Voltage)的核心元件所設計完成，以達到降低漏電的功能。除了基礎IP之外，智原也開發完成了一些關鍵介面IP，包含採HVT設計的低功耗USB 2.0 OTG PHY，在閒置狀態(Idle Mode)下，相較於傳統方法所設計出的OTG PHY，大幅降低了65%的功耗。
智原科技網址：www.faraday-tech.com