美國國家半導體(NS)宣布推出業界首款針對高電壓電源轉換器增強型氮化鎵(GaN)功率場效應電晶體(FET)而最佳化的100伏特(V)半橋閘極驅動器。 美國國家半導體新推出的LM5113是一款高整合High-side和Low-side GaN FET驅動器，與使用離散驅動器的設計相比，其可減少75％的元件數量，並還能縮小多達85％的印刷電路板(PCB)面積。
美國國家半導體(NS)宣布推出業界首款針對高電壓電源轉換器增強型氮化鎵(GaN)功率場效應電晶體(FET)而最佳化的100伏特(V)半橋閘極驅動器。 美國國家半導體新推出的LM5113是一款高整合High-side和Low-side GaN FET驅動器，與使用離散驅動器的設計相比，其可減少75％的元件數量，並還能縮小多達85％的印刷電路板(PCB)面積。
宜普電源轉換公司(Efficient Power Conversion Corporation)共同創辦人兼執行長Alex Lidow表示，美國國家半導體的LM5113橋式驅動器協助設計人員簡化設計以發揮eGaN FETs的效能。 與等效標準金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)的設計相比，LM5113大大減少了元件數量，與eGaN FETs配合使用，可以大幅縮小PCB面積，實現更高的功率密度水準。
為滿足增強型GaN FET嚴格的閘極驅動要求，需要多個離散裝置、重要的電路以及PCB設計工作。 美國國家半導體LM5113完全整合增強型GaN FET驅動器大大減少了電路數量和簡化PCB設計工作，並實現了最佳的功率密度和效率。
美國國家半導體網址：www.national.com