諾發系統宣布他發展一種先進的Hollow Cathode Magnetron IONX物理氣相沉積銅晶種製程技術，使得銅連結導線能延用在2x奈米結點以下的世代，這項技術的突破已在諾發系統高生產力INOVA平臺上驗證HCM PVD技術能繼續為沉積屏障層和薄膜晶種層應用所使用，進而避免導入較無生產力及昂貴的原子層級沉積(ALD)或化學氣相沉積(CVD)方法。
諾發系統宣布他發展一種先進的Hollow Cathode Magnetron IONX物理氣相沉積銅晶種製程技術，使得銅連結導線能延用在2x奈米結點以下的世代，這項技術的突破已在諾發系統高生產力INOVA平臺上驗證HCM PVD技術能繼續為沉積屏障層和薄膜晶種層應用所使用，進而避免導入較無生產力及昂貴的原子層級沉積(ALD)或化學氣相沉積(CVD)方法。
在過去的十年，PVD銅屏障晶種層和銅電化學沉積是用於建構邏輯元件的主要技術，記憶元件製造商現在也轉向使用銅連結導線，技術和成本是主要的驅動因素，就技術而言，使用銅導線可獲取更低的導線連結RC遲滯，等同提高了儲存晶片的速度，就成本而言，和鋁製程相比，銅嵌入製程所需的生產步驟較少且使用的生產設備有高產出量，所以銅製程有成本上的優勢。
隨著先進製程的演進，導線通道via和渠道trench之關鍵尺寸值越來越小，物理氣相沉積(PVD)技術因其沉積的均勻性較差而受到限制，一般的銅晶種層製程至少需要100安培的薄膜厚度去減低銅電鍍的終端效應，且在晶圓結構內, 最好有厚度大於20安培俱連續性薄膜以保證銅電鍍中的無任何孔洞發生。隨著2x奈米元件已把最大的關鍵尺寸侷限在220安培，要獲得足夠均勻的階梯覆蓋率對於現行的離子化物理沉積的銅晶種層製程而言將是一個絕大的挑戰。在高點角落過度的懸突沉積將導致線寬開口縮小，如果想延伸物理沉積銅種晶層製程到2x奈米結點及以下的世代，則需要一個滿足所需均勻的階梯覆蓋率的技術。
在與先進的邏輯和記憶體大廠合作下，諾發系統針對物理氣相沉積(PVD)懸突，階梯覆蓋及填洞能力的需求，已發展出創新的INOVA HCM濺鍍製程來控制電漿與磁場。藉由離子密度與離子能量的適當平衡, 諾發系統先進的銅晶種製程可以順應均勻形沉積的填洞能力，此先進的銅晶種製程可降低在電鍍前的深寬比來增加電鍍後的填洞製程能力範圍，例如鈷這種選擇性的ALD或CVD晶種附著層技術, 會增加電鍍前的深寬比及造成微空洞的可能。在屏障層與晶種層之間加入附著層, 同樣會增加金屬線的阻值及影響元件的速度。
諾發系統網址：www.novellus.com