英特爾(Intel)宣布自採用High-k金屬閘極(High-k Metal Gate)之45奈米全系列產品開始，未來英特爾處理器都將採用100%無鉛設計。英特爾45奈米Hi-k系列處理器包括下一代Intel Core 2 Duo處理器、Core 2 Quad處理器和Xeon處理器等。英特爾預計將於2007年下半年開始生產45奈米Hi-k處理器。
英特爾(Intel)宣布自採用High-k金屬閘極(High-k Metal Gate)之45奈米全系列產品開始，未來英特爾處理器都將採用100%無鉛設計。英特爾45奈米Hi-k系列處理器包括下一代Intel Core 2 Duo處理器、Core 2 Quad處理器和Xeon處理器等。英特爾預計將於2007年下半年開始生產45奈米Hi-k處理器。
英特爾的45奈米處理器不僅以無鉛方式製造，同時也採用英特爾獨有的Hi-k矽晶技術，減少電晶體漏電(Leakage)，催生耗電更少、效能更高的處理器。英特爾的45奈米Hi-k矽晶技術也包括第三代應變矽(Strained silicon)，可改善驅動電流，並利用低K值電介質(Low-k dielectrics)降低連接點電容效應，以提升效能和降低耗電。英特爾45奈米Hi-k系列處理器的最終目標，是朝向更輕薄短小、能源效率更高的桌上型電腦、筆記型電腦、行動上網裝置和伺服器設計。
英特爾網址：www.intel.com.tw