瑞薩電子MOSFET減少52%損失

新推出的RJK60S5DPK電源MOSFET極適用於電源供應器的主要電源交換電路，用以將交流電(AC)轉換成直流電(DC)。RJK60S5DPK為瑞薩電子高壓電源MOSFET系列的第一款產品，採用高精密超結合技術結構，達到電源MOSFET 設備主要整體效能指數的優值(FOM)標準，與瑞薩電子現有產品相較下，效能約可提升90%。  

近來對於提高電源供應電路效率以減少耗電量的需求與日俱增，而且雖然平面電視、通訊基地臺、PC 伺服器以及太陽能發電系統的高輸出交換電源供應的電源轉換效率已有所提升，但對於低耗電量的需求仍非常強勁，也因此帶動低導通電阻電源MOSFET產品的市場需求。然而，使用傳統的平面結構所能達到的改良程度有限，因此瑞薩電子便發揮在電源裝置科技領域的專業能力，開發出採用深槽製程的高精密超結合技術結構，得以產出低導通電阻的MOSFET產品。  

新的 RJK60S5DPK電源MOSFET 可達到150毫歐的導通電阻，較瑞薩電子現有的電源MOSFET產品低 52%，如此可減少電源轉換時的損失。瑞薩電子的新電源MOSFET具備僅6nC的驅動電容，可影響交換速度，相較於瑞薩電子現有產品可節省80%的轉換電荷，因此能透過高速交換提高電源轉換效率。新的RJK60S5DPK電源MOSFET封裝大小與TO-3P標準封裝相同，且接腳的配置符合產業標準，因此可輕易安裝於使用傳統平面MOSFET設備評估的交換電源供應電路板。  

高精密超結合技術結構的電源MOSFET系列產品所能提供的每單位面積導通電阻，約較瑞薩電子現有平面結構系列產品低80%，因此若導通電阻維持不變，則可減少晶片面積。瑞薩電子利用此一優勢，預計於未來將推出各種小型封裝規格的電源裝置產品，例如以TO-220FL封裝產品提供使用TO-3P的現有封裝產品效能。  

此外，瑞薩電子認為平面電視、通訊基地台以及PC伺服器都將因低耗電量交換電源供應器產品而受益。瑞薩電子也計畫針對此類用途，行銷一系列的新超低導通電阻MOSFET產品。瑞薩電子計畫利用新RJK60S5DPK電源MOSFET的先進技術，擴大高壓電源設備的事業規模，並針對各特定用途開發各種新產品。  

瑞薩電子網址：www.tw.renesas.com