IR推出金屬氧化物半導體場效電晶體

IRF6718新款大型的DirectFET封裝中融入了IR新一代矽技術，提供極低的RDS(on)—在10V Vgs一般只有0.5mOhm，同時較D2PAK的面積小60%，而且厚度小85%，新元件大幅減少了與傳輸元件相關的傳導損耗，從而大大提高整體系統的效率。

國際整流器亞洲區銷售副總裁潘大偉表示，IRF6718是國際整流器第一款採用大型DirectFET封裝的元件，較競爭對手的元件擁有更低的RDS(on)，為高密度DC-DC應用，如較D2PAK面積更少的伺服器，提供卓越的效率及熱效能，另外，該元件亦有助於節省電路板空間及整體系統的成本，因為在特定功率損耗下，他較現時的方案擁有較少的元件。

此外，IRF6718為電子保險絲及熱切換電路，提供經已改良的安全操作區域(SOA)能力，該元件採用無鉛設計，並符合RoHS法規要求，IRF6718是國際整流器針對DC開關應用的25V DirectFET產品系列之延伸，IRF6717中罐及IRF6713小罐型DirecFET亦針對DC開關應用，並且在各自的PCB面積上提供較佳的R_DS(on)。

國際整流器網址：www.irf.com