快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出的高壓場截止陽極短路溝槽絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)，是該公司的節能型功率類比積體電路(IC)、功率離散和光電解決方案的一部分，能夠在對能源敏感的應用中大幅降低耗能，對於需要較低的傳導損耗和較高的開關性能，以及大功率、高頻感應加熱(IH)的家用電器來說是理想之選。
快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出的高壓場截止陽極短路溝槽絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)，是該公司的節能型功率類比積體電路(IC)、功率離散和光電解決方案的一部分，能夠在對能源敏感的應用中大幅降低耗能，對於需要較低的傳導損耗和較高的開關性能，以及大功率、高頻感應加熱(IH)的家用電器來說是理想之選。
高壓場截止陽極短路溝槽IGBT電壓範圍為1,100～1,400伏特(V)，其採用固有的反並聯二極體進行優化，適用於軟開關應用。隨著傳統非穿通(NPT)IGBT技術的進步，快捷半導體陽極短路矽技術提供的較低的飽和電壓，與具有相同額定值的NPT溝槽IGBT相比，降低幅度超過12%。另外，與競爭對手的IGBT產品相比，該產品系列提供較低的尾電流比例，降低幅度超過 20%。
高壓場截止陽極短路溝槽IGBT具有高性價比，並在市場銷售方面取得卓越成績；此外，該產品推出後也獲得多項國際獎項。
快捷半導體網址：www.fairchildsemi.com