非揮發性鐵電隨機存取記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發供應商Ramtron宣布推出全新F-RAM系列產品中的第二款串列器件FM25V05，提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0～3.6伏特及具有串列周邊介面(SPI)的非揮發性RAM，採用八接腳SOIC封裝，特點包括快速訪問、無延遲(NoDelay)寫入、1E14讀/寫次數和低功耗。FM25V05是工業控制、計量、醫療、汽車、軍事、遊戲、電腦，以及其他應用領域的串列快閃記憶體和串列EEPROM記憶體的理想替代產品。
非揮發性鐵電隨機存取記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發供應商Ramtron宣布推出全新F-RAM系列產品中的第二款串列器件FM25V05，提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0～3.6伏特及具有串列周邊介面(SPI)的非揮發性RAM，採用八接腳SOIC封裝，特點包括快速訪問、無延遲(NoDelay)寫入、1E14讀/寫次數和低功耗。FM25V05是工業控制、計量、醫療、汽車、軍事、遊戲、電腦，以及其他應用領域的串列快閃記憶體和串列EEPROM記憶體的理想替代產品。
FM25V05與串列快閃記憶體或串列EEPROM不同，其以總線速度執行寫操作，無寫入延遲，且資料能立即寫入記憶體陣列，並以最高每秒40Mb的速度連續寫入資料，FM25V05的耐用性高出幾個數量級以上，且功率消耗更低。此外，並具高性能F-RAM功能，適用於要求頻繁或快速資料寫入或低功耗操作的非揮發性記憶體應用，範圍從需要寫入次數極高的高頻資料獲取應用，到嚴苛的工業控制應用。
FM25V05具有一個唯讀器件ID，可通過獨一無二的序號和/或系統重置選項來命令，獨特序號使主機擁有一個ID，以區別於世界上任何其他主機，系統重置選項可省去對外部系統重置部件需要。FM25V05可在-40℃～+85℃的工業溫度範圍工作，以40MHz SPI時脈速率運行時耗電僅為3毫安培，待機模式耗電為90微安培，睡眠模式耗電更低至5微安培。FM25V05的有功功率為每MHz 38微安培，其電流較同類串列快閃記憶體或EEPROM產品低一個數量級。
Ramtron的V系列F-RAM產品採用與德州儀器(TI)共同開發的公認130奈米CMOS生產製程製造，包含各種並行、串列I2C和SPI記憶體。先進製造製程能提高產品技術規格及擴展其功能集。Ramtron已計畫在2008年年底前推出其他V系列產品，具有I2C和平行介面。所有串列F-RAM V系列產品均具可選器件特性，包括獨特序號和系統重置。
Ramtron網址：www.ramtron.com