美國國家半導體(NS)推出低功耗的8位元、1GSPS雙通道互補式金屬氧化半導體(CMOS)類比/數位轉換器ADC08D1000WG-QV，符合寬頻及高速衛星通訊系統技術要求，採用128接腳多層式CQFP封裝，以每通道功率800毫瓦為例，其功耗低於競爭產品，同時取樣速度則達1GHz以上，而有效位元數(ENOB)也較大，因此可準確測量高頻訊號的電位。
美國國家半導體(NS)推出低功耗的8位元、1GSPS雙通道互補式金屬氧化半導體(CMOS)類比/數位轉換器ADC08D1000WG-QV，符合寬頻及高速衛星通訊系統技術要求，採用128接腳多層式CQFP封裝，以每通道功率800毫瓦為例，其功耗低於競爭產品，同時取樣速度則達1GHz以上，而有效位元數(ENOB)也較大，因此可準確測量高頻訊號的電位。
ADC08D1000WG-QV晶片符合業界航天設備而制定的技術規定，如單事件鎖存(SEL)功能可防範達120MeV的輻射，總電離量則達 300Krad(Si)，這款類比/數位轉換器為衛星通訊系統訊號路徑組件之一，不但功耗低，在訊號/雜訊比及失真方面有不錯表現，因此可準確捕捉真實世界傳送的類比訊號，然後將之轉為數位訊號，以作進一步的處理。
該儀器晶片能以達每秒12億取樣的取樣速度將兩個輸入訊號轉換為8位元解析度的數位訊號，只需1.9伏特額定供電電壓，作業時每通道的功耗低至只有 800毫瓦。由於這款晶片具可全面程式設定的雙邊取樣功能，讓兩個內建的轉換器可以交替作業，因此每通道的取樣速度可以高達每秒20億。每一類比/數位轉換器都內建1:2解多工器，其主要任務是為兩個低電壓差動訊號(LVDS傳輸)匯流排提供訊號，使每一匯流排的資料輸出速度可降低至取樣速度的一半。
ADC08D1000WG-QV晶片採用效能較高的特快摺疊/內插架構。摺疊功能可減少所需比較器的數目，而內插功能則可減少所需前端放大器的數目，因此採用摺疊/內插架構可節省耗電及減輕輸入訊號的負載。
若以1GHz的速率進行取樣，ADC08D1000WG-QV晶片的最低有效位元(LSB)微分非線性特性(DNL)可達0.15LSB，若以 498MHz的輸入頻率，即尼奎斯特頻率作業，晶片的有效位元數仍達7.4 LSB，且其位元錯誤率(BER)至只有 10-18，而採用關機模式時，功耗則不超過典型值3.5毫瓦。ADC08D1000WG-QV晶片可在-55～125°C溫度範圍內作業，且不會遺漏代碼，並設有以指令控制的校準模式，以免單事件效應(SEE)觸發啟動系統，進行不必要的校準作業。
美國國家半導體網址：www.national.com