國際整流器(IR)宣布成功開發革命性氮化鎵(GaN)功率元件技術平台，能為客戶改進主要特定應用的優值(FOM)，讓客戶在適用於運算及通訊、汽車和家電等不同市場的終端應用能顯著提升效能，並減少能源消耗。這款開創先河的GaN功率元件技術平台，是國際整流器經過5年的時間，基於其專有矽上GaN磊晶技術進行開發研究的成果。
國際整流器(IR)宣布成功開發革命性氮化鎵(GaN)功率元件技術平台，能為客戶改進主要特定應用的優值(FOM)，讓客戶在適用於運算及通訊、汽車和家電等不同市場的終端應用能顯著提升效能，並減少能源消耗。這款開創先河的GaN功率元件技術平台，是國際整流器經過5年的時間，基於其專有矽上GaN磊晶技術進行開發研究的成果。
國際整流器的GaN功率元件技術平台為功率轉換解決方案帶來革命性改進。這項研究因有效引進其60年來在不同應用，包括AC/DC功率轉換、DC/DC功率轉換、馬達驅動、照明、高密度音效與汽車系統等功率轉換方面的專業知識，使系統方案產品陣營和相關的智慧財產(IP)遠超出先進的分立功率元件。
國際整流器總裁及CEO Oleg Khaykin表示，這種尖端的GaN技術平台和IP陣營，延續其於功率半導體元件的地位，並引領功率轉換進入新時代。國際整流器相信這款新元件技術平台將會深深影響功率轉換市場。
國際整流器將會於2008年11月11～14日在德國慕尼黑舉行的Electronica展覽會上，向業界OEM客戶展示數款嶄新GaN產品平台的原型。
國際整流器網址：www.irf.com